融資丨「利普思半導體」獲德聯資本領投近億元A輪融資，專注高端功率器件國產化

2021-12-05 15:41:05來源：創業邦

創業邦獲悉，12月1日，高性能SiC（碳化硅）模塊企業利普思半導體宣布完成近億元人民幣A輪融資，由德聯資本領投，沃衍資本、飛圖創投跟投。本輪融資將主要用于公司無錫與日本研發設備投入，以及研發投入、管理運營和市場推廣。

利普思成立于2019年，專注高性能SiC與IGBT功率模塊的研發、生產和銷售，擁有創新的封裝材料和封裝技術，為新能源汽車、氫能車、光伏等行業應用的控制器提供小型化、輕量化和高效化的功率模塊解決方案。目前，公司已經申請專利26項，其中發明專利13項。

功率半導體作為電能轉換的核心器件，廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、工業控制、光伏和風電等領域，市場空間巨大。盡管我國功率半導體市場占據了全球超1/3的規模，但面向高端領域的功率器件國產率極低，高端國產功率模塊的可靠性不足也導致市占率較低，90%以上的中高端MOSFET及IGBT，SiC器件仍然依賴進口。

其難點在于，一是高端功率器件主要應用在新能源汽車、風力發電、光伏等領域，這些領域對功率模組的電氣設計、散熱、機械，可靠性，工藝等方面都有著高要求，國外國際大廠早已積累了成熟技術和競爭優勢，但國內的IGBT與SiC模組設計與制造工藝相對落后，處于仍追趕階段；

二是芯片設計方面，小功率芯片通常采用單管電流設計，而大功率芯片需要集成到模組中，通過更多芯片并聯達到大功率電流的效果，尤其是汽車應用中，國內相關模組企業同樣與國際水平存在差距。

目前，利普思的核心產品覆蓋SiC和IGBT兩個品類，其中應用于氫能商用車和光伏的SiC，以及應用在充電樁、工業變頻器、商用車等方面的IGBT已實現批量生產。值得注意的是，盡管SiC作為第三代功率半導體，在性能效率、可靠性和小型輕量化方面具備優勢，但SiC對IGBT的替代主要集中在高端應用市場，在低端市場則是兩者共存的格局。

利普思聯合創始人、COO丁烜明說，公司的第三代功率半導體SiC模塊技術水平已能和國際知名品牌產品展開直接競爭，尤其是其采用的全銀燒結，使用利普思專利的芯片表面連接技術的直接水冷結構，電氣特性，散熱，功率密度均具有領先優勢。

例如，特斯拉的SiC模塊采用了單管方案，每個單管集成2塊芯片，共并聯24個小單管。該方案對單管的封裝、焊接、連接一致性要求很高，系統應用的工藝難度系數大，因此目前國內廠家更青睞于集成度更高的高性能SiC模組方案。

相比之下，利普思采用的模組方案，采用了自研的芯片表面連接Arc Bonding專利技術，能夠實現多個100A電流的芯片連接、6-10個并聯，大大提高了模組的電流能力、功率密度和可靠性，可以實現更小的電動汽車驅動體積，更高的功率密度有利于中國電動汽車廠家快速進行電驅的研發與生產。

利普思一系列技術優勢實現的背后，與公司團隊的正向開發能力息息相關。目前，公司在日本設有研發中心，該研發中心已初具規模，將形成完整的先進模塊封裝和驗證測試能力。公司還擁有數十位涵蓋芯片設計、封裝材料、封裝設計、生產工藝、模塊應用等領域的中國及日本行業專家。

其中，公司創始人、CEO梁小廣曾任職于三菱電機、安森美、采埃孚，擁有16年以上IGBT、SiC功率半導體研發經驗，以及多項相關國際專利；公司聯合創始人、COO丁烜明曾任上海電驅動事業部總監，熟悉電動汽車客戶、供應鏈和質量體系要求；聯合創始人邱威曾就職于理查森，有十余年電子器件行業銷售經驗；日本研發團隊成員平均半導體從業時間20年以上，曾就職于三洋、三菱、東芝、日立等公司，研發中心負責人之一的夏目正曾擔任安森美日本總經理。

營收及出貨方面，利普思的SiC產品已于今年下半年開始量產，明年銷售額將實現大突破，SiC模塊將超數十萬個。2022年，利普思將完成乘用車SiC模塊產品量產，其中下一代SiC控制器平臺將比市面上同樣電流的模塊體積減小30%以上，還可根據不同電流要求定制，覆蓋150KW-400KW功率。

產品推廣方面，利普思以氫能商用車作為市場突破口，逐步拓展到其他商用車市場，以及光伏等工業市場，同時重點布局乘用車市場。現階段，利普思主要客戶覆蓋氫燃料電池系統、電動商用車、乘用車、光伏等領域。

德聯資本執行董事方宏博士表示：“能源結構的調整正在影響我們國計民生的方方面面，能源供給側和消費側設備的器件功率密度提升是必然趨勢，相關功率器件從IGBT向SiC升級已開始全面加速，然而該產業鏈內的襯底、外延、器件、封裝各環節的技術Knowhow大相徑庭，應用端也都在不停地追求更高的性能和差異化的應用。因此我們認為，各環節的分工協作是該產業的發展方向。利普思是國內少有的從基礎材料到封裝工藝進行底層創新研發和量產的SiC模塊團隊，我們非常看好其成長為汽車、光伏以及工業等領域領先的功率半導體公司。”

附

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