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“氮化鎵基高效LED芯片技術”項目取得階段性進展

2021-04-29 14:30:24來源:山西日報  

在山西省關鍵核心技術和共性技術研發攻關專項的支持下,山西中科潞安紫外光電科技有限公司協同中科院半導體所、中科潞安半導體技術研究院共同承擔了“氮化鎵基高效深紫外LED芯片技術”項目在技術創新和應用創新不斷取得突破。

項目單位圍繞高質量AlN模板材料、AlGaN材料的大失配異質外延缺陷與應力調控、高效量子結構設計與外延、高光效深紫外LED芯片的關鍵制備技術及先進封裝技術開展研究工作,顯著提升了深紫外LED芯片的內量子效率和光提取效率,制備出的大功率深紫外LED芯片,發光功率超過40mW,并開發出發光功率超過1W的深紫外LED模組,模組壽命超過5000小時。目前相關大功率產品已小批量生產,待產業化規模放大后,可有效降低芯片成本,推動深紫外LED產業開辟新的應用領域和市場,帶動上下游相關產業發展。

關鍵詞: 氮化鎵 高效 LED 芯片

責任編輯:hnmd003

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